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军工股票推荐:Keysight IC-CAP

 2020.2 64位破解版
  • 軟件大?。?span itemprop="fileSize">1.1 GB
  • 更新日期:2020-04-17
  • 軟件語言:簡體中文
  • 軟件類別:機械電子
  • 軟件授權:免費版
  • 軟件官網:
  • 適用平臺:WinXP, Win7, Win8, Win10, WinAll
  • 軟件廠商:

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10.0
軟件評分

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為您推薦:機械電子

  Keysight IC-CAP 2020是一款器件建模軟件,可以幫助用戶在軟件設計多種電子設備模型,方便為廠家開發新的電子設備,現在很多硬件都是通過建模的方式預先在電腦上分析各種加工方案,計算設備數據,設計編程命令,設計完畢以后就可以開始加工設備,Keysight IC-CAP 2020可以幫助用戶快速分析設備參數,提供可視化與編程功能、儀器驅動程序、仿真器和優化算法,幫助用戶在軟件上仿真設備,設計模型,分析電磁數據,設計電路板,仿真電子儀器,非常適合電子設備開發和電磁仿真人員使用,如果你需要建立各種器件模型就可以下載這款軟件!

Keysight IC-CAP

軟件功能

  1、IC-CAP建模軟件提供??榛?,以便您可以準確地選擇特定建模所需的??榻瘧?。IC-CAP平臺的中心是IC-CAP軟件環境支持圖形分析、編程通過參數提取語言(PEL)和Python,以及自定義模型和用戶界面發展。需要分析??樵詿蠖嗍D飩Sτ彌?,優化和外部接口模擬器。IC-CAP支持測量儀器,包括直流、LCRZ和射頻。

  2、最先進的自動化

  測量溶液有了IC-CAP WaferPro,IC-CAP提供了最先進的設備建模解決方案自動化測量。專門的測試計劃IC-CAP平臺內的環境允許

  測量和后處理的測試工程師使用各種按鍵和第三方的數據儀器。

  3、精確鍵控專用

  和行業標準模型IC-CAP包含精確的建筑模型以及維護最新的模型庫。在單個環境中,您可以使用IC-CAP自動化測量,模擬設備性能,提取數據,優化模型參數,進行統計分析,并生成最壞情況的模型。集成電路蓋為工業提供提取例程標準,以及Keysight專有二極管、BJT、MOSFET、MESFET的型號,血紅素,噪音,熱模型,和其他。提取??樘峁┩暾鬧繃髦遼淦擋問崛」δ?。此外,IC-CAP支架模型與提取由第三方開發的程序,以及許多其他的模擬軟件包裝,以適應廣泛的客戶要求。IC-CAP也支持Verilog-A模型的使用。

  4、射頻和微波建模能力

  射頻效應的精確建模需要可靠的測量數據。建立在已證實的基礎上射頻和微波測試的強度測量,EDA的按鍵EES提供各種射頻儀器的配置例如按鍵PNA、PNA-X和ENA系列。IC-CAP射頻提取??樽ㄓ瀉托幸當曜寄P桶ㄉ淦迪喙夭問崛?,確保您的模型適用于高頻電路仿真。

  5、最靈活的軟件環境

  IC-CAP以開放靈活的方式運行軟件架構。盡管我們提供許多行業的交鑰匙建模解決方案標準和專有型號,大多數測量和提取算法可以由用戶修改。使用IC-CAP參數提取語言(PEL)或Python編程環境,您可以定義并添加自己的模型或提取直接進入IC-CAP的方法。什么時候?必要時,IC-CAP打開測量接口允許您編寫自己的控制儀器的測量驅動器。也可以設計自定義建模通過實現帶有IC-CAP圖形用戶界面的自定義用戶界面對話框工作室。

  6、用IC-CAP進行測量

  成功的設備建模需要精確的測量數據和徹底的對復雜集成的理解測量硬件之間以及建模軟件。IC-CAP軟件是一個強大的建模工具

  能自動化工業標準儀器以及系統。其測量接口為各種單一儀器和模型直流、交流和射頻系統配置測量。收集測量數據儲存在IC-CAP中,可直接使用用于參數提取和優化緊湊型設備。

  7、全面的內置儀器庫

  IC-CAP的WaferPro提供推動行業標準的能力測量設備(從工作臺頂部儀器到參數測試儀),以及作為第三方探測器,開關矩陣和熱卡盤執行效率高,自動化晶圓溫度測量。IC-CAP WaferPro集成到IC-CAP平臺及其優勢強大的測量和編程啟用自定義庫的環境有效的測量程序(例如自適應測量算法)大大減少了整體測量時間。因為測量程序是在IC-CAP環境中,簡單或復雜的后處理(如計算現場測量或功績數字去嵌入和直接提?。?,可以在保存數據之前應用于測量數據。數據保存在文件或SQL數據庫中格式。掃描數據通常保存為ICCAP MDM文件格式,而點測量保存到Excel.csv文件。實現高效的數據查詢和導入體積測量數據,數據可保存進入SQL數據庫文件。IC-CAP提供用于查詢和導入數據的專用API進入IC-CAP。見第11頁表2探針、開關矩陣和熱卡盤由WaferPro支持

  8、高兼容性

  德科技的PathWave軟件平臺可在Windows和Linux上運行,可在需要時為客戶提供對所需設計和測試工具的靈活,即時的訪問。設計和測試工具以及先進的數據管理的互操作性大大加快了產品開發周期,從而消除了在過程的每個離散階段重新創建單獨的測量和測試計劃的需要。

  9、操作簡單

  進一步提高靈活性,使工程師能夠輕松導入和仿真表格數據(例如脈沖 I-V 和 S參數)。.很多時候測量數據是由其他組織以表格(.csv)格式提供的。新增的 LSYNC 輸入功能能夠將表格數據直接讀入 IC-CAP LIST/LSYNC 輸入和輸出界面,然后使用 ADS 和建模程序輕松仿真相應的設置。為了直接支持 GaN 和 GaAs 建模等 III-V FET 建模,以及作為上述新 LSYNC 功能的直接示例,此版本提供了一個基于 Python 的新界面,用于讀入 Maury 的 AMCAD 脈沖系統(AMCAD Pulsed System)測量數據。現在,您只需點擊幾次,便可輕松加載 Maury 的 DC IV(.mes)和 S 參數(.mps)文件,從而仿真和顯示當曲線具有不同數量的點甚至不同的 Vd 點時的典型 DC IV 跡線(例如 IdVds 與 Vg)

  ADS 平臺和數據可視化顯示

  10、多項工作區管理功能。

  我們實施了進一步優化,例如添加解釋功能,使用戶能夠清晰了解工作區內各對象之間的獨立性,甚至能夠打開設計并突出顯示相關性的具體位置。我們還添加了追蹤原理圖、數據集和數據顯示(Data Displays)之間聯系的功能。

  11、數據顯示

  容量:存儲器映射有利于更快地讀取大型數據集,以及更快地縮放和平移圖形

  易用性:Expression 管理器使用戶可以在單個電子表格中查看、選擇和修改所有 DDS 公式。查找、替換、復制和粘貼功能使用戶可以更輕松地構建或修改數據顯示模板,公式的網表(文本)導出選項可將 DDS 公式輕松轉換為基于原理圖的測量公式,使它們可以直接保存在數據集中

  查找問題:“右鍵單擊和查找公式菜單”使用戶能夠識別當前公式所引用的其他公式,因此可以輕松識別和改正問題

新版特色

  PathWave 器件建模(IC-CAP)軟件 2020 更新 2.0 的新特性

  增強型 LSYNC 現在可為 DC、CV 和 S 參數仿真提供 V/I 輸入溫度——使用 PathWave 先進設計系統(ADS)和 ELDO 導入和仿真表格數據

  Keysight I/O 程序庫套件 2020 現在支持 LINUX

  CMOS 建模套件升級——模型版本更新與補丁修復

  脈沖和直流 IV 及 S 參數的新導入功能——新的 Python API ??樵市淼既肼齔?IV 和 S 參數的 Maury/AMCAD 輸出數據格式(.mes 和 .mps)

  新增對 Cadence Spectre 模型庫文件的支持——加載和瀏覽 Spectre 模型庫文件,選擇一個模型卡并將其導入 IC-CAP 的電路頁面(實驗功能)

  仿真 ADS 中直流工作點數據的新功能——添加新輸出類型“O”,從 ADS 仿真器讀取直流工作點參數(實驗功能)

  缺陷修復和性能提升——包括最新修復以及此前在 IC-CAP 2020 更新 1.0 和 1.1 中提供的修復

  PathWave 器件建模(IC-CAP)軟件 2020 更新 2.0 現已發布!

  描述

  PathWave 器件建模(IC-CAP)軟件 2020 更新 2.0 進一步提高靈活性,使工程師能夠輕松導入和仿真表格數據(例如脈沖 I-V 和 S參數)。.很多時候測量數據是由其他組織以表格(.csv)格式提供的。新增的 LSYNC 輸入功能能夠將表格數據直接讀入 IC-CAP LIST/LSYNC 輸入和輸出界面,然后使用 ADS 和建模程序輕松仿真相應的設置。

  為了直接支持 GaN 和 GaAs 建模等 III-V FET 建模,以及作為上述新 LSYNC 功能的直接示例,此版本提供了一個基于 Python 的新界面,用于讀入 Maury 的 AMCAD 脈沖系統(AMCAD Pulsed System)測量數據。現在,您只需點擊幾次,便可輕松加載 Maury 的 DC IV(.mes)和 S 參數(.mps)文件,從而仿真和顯示當曲線具有不同數量的點甚至不同的 Vd 點時的典型 DC IV 跡線(例如 IdVds 與 Vg)。

  PathWave 器件建模(IC-CAP)軟件 2020 更新 1.0 中的新特性

  新 LSYNC 和脈沖 IV 導入

  圖 1. 顯示了使用新 LSYNC 時,“Setup”(設置)菜單中的“Measure /Simulate”(測量/仿真)選項卡頁面。這個輸入是通過導入一個 Maury DC IV 脈沖文件(.mes)創建的。注意這個新類型 LYNC 輸入“vg_pulse”是如何與它的主掃描 vd_pulse 保持同步的?“Setup”看上去很簡單,但表中所顯示的 I-V 負載很復雜,圖 2 使用“Id-Vd 與 Vg”來顯示這個 I-V 負載。注意為何這些曲線有不同的大小。游標和圖例在二階掃描 vg_pulse 上提供了預期信息。

Keysight IC-CAP

  圖 1. 使用新 LSYNC 時,“Setup”菜單中的“Measure /Simulate”選項卡頁面示例。

Keysight IC-CAP

  圖 2. 相應的非矩形數據顯示。

  CMOS 建模套件升級

  下列 CMOS 套件已更新:

  BSIMSOI 模型更新至版本 4.6.0 和 4.6.1

  HiSIM_HV 模型更新至版本 2.40

  HiSIM2 模型更新至版本 3.0.0

  PSP 模型更新至版本 103.5 和 103.6

  實驗功能

  現在可以從 Cadence spectre(.scs)模型庫文件導入模型卡。用戶可以加載文件,瀏覽文件結構,并選擇要加載到 IC-CAP 電路頁面的模型卡。在加載模型卡之前,用戶可以通過對話框定義要添加的實例行。圖 3 便是一個新“Library Parser”對話框的外觀示例。在建立 IC-CAP 模型后,經過修改的模型卡可以保存到新版本的模型庫中。這一功能將提高用戶的操作效率,并避免容易出錯的手動編輯。

Keysight IC-CAP

  圖 3. 使用新的模型庫導入器(Library Importer)瀏覽一個 spectre 模型庫 .scs 文件并選擇將要導入的模型卡。

安裝方法

  1、下載軟件以后直接點擊iccap_2020_update2.0_win_x64.exe啟動安裝,等待軟件加載安裝數據

Keysight IC-CAP

  2、提示軟件的安裝界面,點擊next

Keysight IC-CAP

  3、提示軟件的安裝協議內容,點擊next

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  4、設置軟件的安裝地址C:\Keysight\ICCAP_2020_Update2

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  5、您也可以自己修改地址,小編將其安裝到E盤

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  6、指定要用作主目錄的目錄

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  7、設置軟件的開始菜單名字IC-CAP 2020 Update 2.0,勾選在桌面設置快捷方式

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  8、這里是軟件安裝信息查看,點擊install就可以開始安裝

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  9、如圖所示,軟件已經開始安裝,等待安裝結束吧

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  10、已經安裝結束,點擊done完成

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  11、彈出激活界面,點擊退出關閉當前的界面

Keysight IC-CAP

破解方法

  1、打開下載的破解文件夾,將EEsof_License_Tools文件夾復制到許可證所在的文件夾,默認情況下為C:\ Program Files \ Keysight \ EEsof_License_Tools,點擊替換該文件夾,注意不是復制到安裝地址

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  2、打開復制完畢的文件夾,找到bin \ win32_64 \ server_install.bat,選擇管理員身份運行

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  3、提示正在啟動服務,等待服務內容啟動完畢,點擊任意鍵退出

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  4、運行“ Keysight_Licensing.reg”并確認將信息添加到Windows注冊表中

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  5、將破解文件夾里面的ICCAP_2020_Update2復制到軟件安裝地址,替換主程序的文件夾,安裝地址默認是C:\ Program Files \ Keysight \ICCAP_2020_Update2,小編的軟件安裝在E盤所以復制到這里替換

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  6、重啟電腦,打開主程序,等待軟件運行

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  7、選擇我想指定一臺執照伺服機,然后點擊下一步

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  8、輸入[email protected]點擊下一步

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  9、提示此產品的使用執照安裝程序已完成,點擊完成

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軟件優勢

  IC-CAP 器件建模套件提供器件和電路建模所需的基本工具,可以為以下應用提供必要的工具:

  控制用于器件建模的標準直流、交流和 LCR 儀器,

  創建并自動運行定制測量流程和提取例程

  結合 ADS 和 Spice3 仿真器或直接鏈接的常用仿真工具運行仿真, 并進行優化。

  套件可添加用于行業標準模型的整套模型提取應用軟件以構建完整的解決方案。

  1、IC?CAP 軟件環境

  型號:85199A:這個 IC-CAP 基礎環境提供數據管理、可視化和編程功能,包括 MultiPlot 與 GUI studio、PEL、數學變換和宏。

  2、IC-CAP 分析???/p>

  型號85199B:與 W8501 結合使用可提供 ADS 仿真器、強大的優化引擎以及與常用仿真器的鏈接。

  3、LCRZ 測量驅動程序

  型號85199C:支持 IC-CAP 控制和自動運行 LCRZ 測量儀器

  4、直流測量驅動程序

  型號85199D:IC-CAP 控制和自動運行直流測量儀器

  5、交流測量驅動程序

  型號85199E:支持 IC-CAP 控制和自動運行交流測量儀器

  當運行WaferPro Express軟件中的測試例程時,根據批次名稱,晶圓,溫度,設備類型,極性,標線片位置和特定的測量參數組,將得到的測量數據組織到更深的子目錄層次結構中。

Keysight IC-CAP

  在并排繪制來自不同標線的設備數據時,這種層次結構導航起來很麻煩。 IC-CAP 2018中引入的數據查看器會自動導航目錄結構,查找相關數據并生成圖,因此您可以考慮數據的真正含義。

Keysight IC-CAP

  現在可以輕松生成最常見的圖,包括對偏差的測量以及來自整個晶圓的統計數據,以直方圖或晶圓圖分布的形式顯示。

Keysight IC-CAP

  使用IC-CAP提取模型

  典型的建模過程包括根據設備技術及其最終電路應用(例如,DC,高頻或兩者)選擇模型,進行必要的測量以表征設備或一組設備,然后最終應用提取算法 計算模型參數。 通過使用內置或自定義模型方程式根據測量數據計算參數,或通過調整或優化技術,可以實現最后一步。

  IC-CAP提供了工程師開發自己的提取方法所需的平臺和工具。 是德科技和第三方供應商均為需要在第一天就啟動并運行的用戶提供了交鑰匙建模提取包

Keysight IC-CAP

  具有增強的,可擴展的RF柵極和襯底電阻模型的高精度RF提取方法。

  –目標建模功能。通過目標建模,用戶可以根據目標(現場數據)提取初步模型,或者重新定位現有模型的中心以匹配新的工藝規格。

  –轉角建模提取?;詮ひ詹問耐臣票浠偷湫偷奶崛】?,該軟件包允許用戶提取用于CMOS工藝的角庫。然后,可以在所有受支持的模擬器上針對各種器件,溫度和偏置條件對最終庫進行驗證。

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  BCTM VBIC BJT模型

  VBIC是Vertical Bipolar Inter-Company(垂直雙極內部公司)的縮寫,Vertical Bipolar Inter-Company是由雙極電路和技術會議(BCTM)聯盟開發的公共領域模型。 它可以模擬準飽和,雪崩和襯底效應。 最新版本包括自熱效應。

Keysight IC-CAP

  高頻BJT建模套件

  該軟件包包括對Gummel-Poon模型的提取,該模型幾十年來一直是BJT設備的行業標準模型。該軟件包包括GP模型提取的特殊版本,非常適合RF應用。此處,CV測量被S參數測量代替,從而使結電容提取更加方便和準確?;拱ㄌ崛±硐胄?,基極電阻和反向早期電壓的改進方法。除了標準GP外,該軟件包還提供了Keysight EEBJT2模型的提取,這是一種改進的GP模型,可提高AC和DC行為的準確性。

  該軟件包還包括MEXTRAM CMC行業標準雙極性模型的提取。飛利浦/ NXP研究實驗室,TU Delft和EDA的Keysight EEs聯合開展的工作已在IC-CAP中實施了其提取。該模型已在飛利浦/ NXP中廣泛使用,已被證明具有極強的魯棒性和準確性。

  ADS HBT建模套件

  是德科技ADS HBT(AHBT)提取程序包為III-V HBT器件建模提供了全面的測量和提取程序。 AHBT是一個完整的HBT模型,專為GaAs,SiGe和InP工藝設計,同時支持單異質結和雙異質結。 一攬子計劃包括全面的測量和提取程序

  MESFET建模

  高頻MESFET和PHEMT建模套件包括以下模型的摘錄:

  Angelov-GaN模型

  由于俘獲和熱效應對器件電氣特性的影響,因此氮化鎵(GaN)器件的建模具有挑戰性。標準GaAs模型對于這種類型的設備不夠準確。由查爾默斯理工大學的I. Angelov教授開發的Angelov-GaN模型已成為行業標準的解決方案。是德科技的W8533 IC-CAP Angelov-GaN提取套件提供了專用的軟件環境,允許用戶執行必要的測量和Angelov-GaN模型的提取。支持典型的直流和網絡分析儀,用于進行直流和S參數測量和去嵌入。便捷的用戶界面使用戶可以執行分步提取流程來提取模型參數。包裝內提供的交鑰匙流程可實現完全定制。使用Keysight ADS執行仿真。

  Curtice,Statz MESFET模型

  該軟件包包括用于三種流行的行業標準MESFET模型的提取例程:Curtice二次方,Curtice三次方和Statz(Raytheon)。三種模型之間的差異在于描述設備的DC和AC特性的經驗關系。 IC-CAP從直流和S參數測量的組合中提取模型參數。

  EEFET3 / EEHEMT1型號

  這些是通用GaAs FET或HEMT應用的經驗非線性模型,包括大信號,三端子IC和封裝器件。他們可以精確地建模與直流和偏置相關的S參數,時間延遲,亞閾值電流以及Rds的色散?;拱ɑ贙eysight EEsof EDA原始方程式的漏極電流模型以及Cgs和Cgd的高級模型,包括跨電容效應?;箍悸橇寺┘緦髦械木蔡勻刃в?。這些??樘峁┝爍叨茸遠牟問崛〖際?,并自動提取了封裝寄生參數。 HEMT與MESFET類似,但在Gm與Vgs的行為方面有一個明顯的區別。 EEHEMT1是EEFET3的超集,并具有一組用于模擬HEMT的Gm壓縮的分析功能。

Keysight IC-CAP

  根MESFET / HEMT模型

  這些是獨立于過程和技術的,基于數據的模型,適用于大信號三終端應用。他們對GaAs FET和HEMT的非線性建模,包括頻率色散。這些模型可擴展以適應各種幾何形狀,并具有自動數據采集以及高速模型生成功能。

  Root MESFET / HEMT模型創建者包含在Root Models生成器軟件許可證中。

  NeuroFET模型

  盡管Root模型是當今的一項重大發明,但由于基于表格的設備電流和電荷表示形式,因此具有一些局限性。使用基于表的模型時,必須在器件操作的整個偏置范圍內對所有多元電容和電導進行建模之間進行非最佳折衷。 NeuroFET模型是Root模型的演變,具有相同的拓撲結構,但表格已被人工神經網絡(ANN)取代。人工神經網絡是一種基于大腦工作方式的計算范式-它們可以根據稱為神經元的高度互連的非線性處理函數的網絡,平滑地逼近任何非線性函數。先進的機器學習(AI)訓練算法可識別節點之間的權重,以最佳且平滑地近似模型非線性電流和電荷函數。這對于準確表示失真行為至關重要,尤其是在需要高階精確導數的低信號電平下尤其如此。 NeuroFET模型還在測量數據的邊界之外添加了復雜的外推方法,從而實現了穩健的DC和大信號仿真器的收斂性能。所得模型與技術無關,并且適用于硅和III-V材料的HEMT和FET器件。它不適用于無源混頻器或開關應用。

  DynaFET模型

  獲得專利的Keysight DynaFET模型代表了器件建模中的另一項重大創新,因為它可以對動態自發熱和陷獲效應進行建模,這歸因于重要的III-V FET動態現象,例如漏極滯后,電流崩潰和柵極滯后。 DynaFET使用新穎的模型識別程序直接從大信號波形數據中識別(提?。┫葳遄刺徒崳?,并得出這些動態變量與器件電性能的詳細耦合。與NeuroFET一樣,DynaFET也使用ANN來描述設備的電荷和電流,但是該公式已擴展為包括設備溫度和電荷捕獲狀態,作為神經網絡的附加輸入。復雜的機器學習算法使用DC,S參數和在不同環境溫度下的大信號波形測量數據來訓練網絡。使用Keysight非線性矢量分析儀(NVNA)在低基頻(100 MHz),不同溫度,直流工作點,功率水平和負載阻抗下測量非線性波形數據。

  W8501 IC-CAP核心環境

  W8501是IC-CAP框架。它允許您使用C編程語言執行數學轉換,自定義圖,編寫PEL和Python宏,創建提取例程以及編寫用戶定義的函數。包括一個廣泛的功能庫?;拱↖C-CAP Studio,它使您能夠開發自定義圖形用戶界面。

  W8500 IC-CAP建模平臺套件

  Keysight W8500建模套件提供了開始對設備和電路進行測量和建模所需的基本工具。建模套件包含以下組件:

  – W8501核心環境

  – W8502仿真與分析

  – W8520儀器連接

  通過建模包,您可以設置自定義提取例程,使用儀器驅動程序測量數據,分析結果,執行仿真以及優化提取的參數。免費提供大量建模示例,以此為起點來構建和設計自己的提取工具包

  是德科技W8511 IC-CAP晶圓專業測量套件

  W8511提供了使用WaferPro在晶片上運行自動DC,CV和RF測量的功能。它包括以下組件:

  – W8501核心環境

  – W8520儀器連接

  – W8510 IC-CAP Wafer專業版(WaferPro)

  IC-CAP WaferPro在IC-CAP平臺內并與之協同工作,并允許用戶創建和執行自動測試計劃。有關更多詳細信息,請參見下面的W8510 WaferPro部分。請注意,該捆綁軟件不包括W8502仿真和分析,必須添加W8502仿真和分析才能在仿真模式下運行測試計劃。

  W8502分析???/p>

  分析??槭荌C-CAP仿真器引擎,它可以使用默認的仿真器ADS,內置的SPICE仿真器或鏈接到其他廣泛的外部仿真器來仿真設備或電路性能。包括使用ADS仿真線性(DC,CV和AC)和瞬態仿真的功能??梢允褂肐C-CAP開放仿真器界面添加到其他(SPICE)仿真器的鏈接。請參考網絡以獲取所支持的模擬器鏈接及其版本的完整列表。

  W8510 Wafer Professional(WaferPro)

  IC-CAP WaferPro是功能強大的測試計劃套件,專門用于晶圓上DC / CV和RF測量。 WaferPro允許用戶通過管理晶圓圖和設備信息,測量例程和條件來創建和執行自動化測試計劃。 WaferPro包括幾個內置的測量例程,但足夠靈活,用戶可以自定義后處理數據的測量和計算。測得的掃描數據被保存到IC-CAP MDM文件中,而點測量被方便地保存到.csv文件(逗號分隔文件)中。對于大量應用程序,WaferPro還可以將數據保存到IC-CAP SQL數據庫。 SQL數據庫經過專門設計,可存儲晶圓上的測量數據,并具有內置的靈活性,可以容納各種自定義數據?;怪С諷QLite和MySQL。 WaferPro支持所有IC-CAP儀器,包括是德科技參數407x和408x參數測試系統,以及各種行業標準的全自動化和半自動化探測器。請參閱第11頁的表2,以獲取WaferPro支持的探測器,開關矩陣和熱卡盤的列表。

  W8503數據選擇和處理

  IC-CAP數據選擇和處理工具(DataPro)是一個單獨的工具包,可對選定的測量數據進行統計分析,并基于統計分布和方差來識別黃金和死角。 DataPro可以直接從WaferPro(基于文件或數據庫)或簡單的IC-CAP項目格式導入數據。統計分析可以應用于掃描類型或點類型的測量。

  W8524BP IC-CAP CMC 氮化鎵射頻建模軟件套件的插件為氮化鎵器件建模應用中的 2 個物理模型提供了高效的提取流程。緊湊模型聯盟(CMC)已于 2017 年批準這兩種模型成為行業標準。

  高電子遷移率晶體管高級 Spice 模型(ASM-HEMT 模型)

  MIT 虛擬源氮化鎵模型或 MVSG_CMC 模型

  兩種模型均已針對高頻(射頻)和高壓(電力電子)應用做出了明確定義。作為物理模型,它們可以為氮化鎵工藝開發人員帶來更廣闊的分析視野。例如,工藝工程師可以了解到增加遷移率或降低接觸電阻對提高整體功率放大器效率的好處,從而通過優化物理器件建模參數,對芯片工藝加以改進,實現電路和系統性能的提升。

  PathWave 器件建模軟件(IC-CAP)2020 中推出的射頻氮化鎵工具套件采用了簡單易用的用戶界面,為提取 ASM-HEMT 和 MVSG 模型參數奠定了良好的基礎。現在,用戶可以在單個平臺中啟動測量,并將數據導入 IC-CAP 平臺提取模型參數,然后將生成的模型卡導出到先進設計系統(ADS)或任何其他可以運行這些模型的仿真器中。該工具套件還提供了兩個示例流程:一個用于 MVSG,另一個用于 ASM-HEMT。

  找到正確的參數組合使模型數據與測量數據相匹配仍然有相當的挑戰性,但更具挑戰性的是推導出提取方法或一連串的參數調整步驟。為新模型開發新提取流程可能需要半年甚至更長時間。建模工程師需要探究并隔離每個參數的影響,從而確定實現擬合的最佳數據。工程師通?;嵋饈兜?,模型參數提取流程早期的一點小錯誤也有可能導致整個流程最終出現擬合準確性問題而前功盡棄。借助 IC-CAP 提供的射頻氮化鎵工具套件,建模工程師將可以靈活選擇提取方法,并使用這些模型快速開始工作。

  如下面的圖 1 所示,功能強大的用戶界面使建模工程師可以專注于提取流程,而無需操心參數記錄、數據繪圖等操作。

Keysight IC-CAP

  圖 1. DC-CV-Spar-建模最終擬合。

  建模工程師可以選擇參數組,以便重點關注選定的主題。他們還可以通過列表進一步細化參數選擇。同樣,他們也可以選擇繪圖來展示每個參數的效果。在頂部區域,工程師可以選擇優化或調諧所選的參數。

  產品套件

  W8524BP IC-CAP CMC 氮化鎵射頻建模軟件套件的插件需要與以下產品配合使用:

  W8501EP IC-CAP 核心環境

  W8502EP IC-CAP 仿真和分析軟件

  W8525BP IC-CAP CMC 氮化鎵建模軟件套件包括以下產品:

  W8524BP IC-CAP CMC 氮化鎵射頻建模軟件套件的插件

  W8500BP IC-CAP 器件建模平臺軟件套件

  W8501EP IC-CAP 核心環境是 IC-CAP 軟件框架,提供數據管理、可視化顯示和編程功能(使用 PEL),并包括 MultiPlot 和 GUI studio、數學變換和宏命令以及與 SQL 數據庫的鏈接。

  PEL – 編程提取語言,用于創建和自動運行測量與提取流程

  IC-CAP MultiPlot Studio 可以通過單一窗口提供“n”個繪圖、顏色規范、符號和繪圖注釋。使用每個繪圖側邊的按鍵,您可以方便地調用縮放、優化/調諧、定標、誤差計算以及更改 X/Y 軸等功能。IC-CAP MultiPlot Studio 概述

  IC-CAP GUI Studio 能夠創建用于自動執行定制測量和提取流程的用戶界面。這些圖形用戶界面也可以與其他同事或客戶共享,極大方便他們執行測量和提取

  SQL 數據庫鏈接提供與 MySQL 和 SQLite 數據庫的鏈接,使用戶可以查詢或將 WaferPro 的測量數據導入 IC-CAP 進行建模

  另外還包括一個程序庫,方便用戶訪問常用的數學函數、晶圓探針臺驅動程序和開關矩陣驅動程序。

  W8502EP IC-CAP W8502EP IC-CAP 仿真與分析軟件可以使用自帶的先進設計系統(ADS)或 SPICE3 仿真器或直接連接到支持的外部仿真器來分析或仿真器件特性,并能將仿真結果與測量或目標數據進行對比。

  分析??榛拱?13 個強大的優化算法和繪圖優化器?;嬙加嘔髦С鐘沒Т尤我?IC-CAP 繪圖直接設置快速優化。

  仿真與分析??樘峁?ADS 線性、瞬態、諧波平衡和 Verilog-A 功能。

  IC-CAP 優化算法:

  算法/描述

  Levenberg-Marquardt:使用最小平方誤差函數的非線性搜索方法。

  隨機:使用隨機梯度誤差函數的隨機搜索方法。

  混合(隨機/LM):隨機與 Levenberg-Marquardt 算法及誤差函數的組合。

  靈敏度分析:設計變量的單點或極小靈敏度分析。打印每個參數的局部衍生。

  隨機(Gucker):使用最小平方誤差函數的隨機搜索方法。

  梯度:使用最小平方誤差函數的梯度搜索方法。

  隨機最小最大:使用最小最大誤差函數的隨機搜索方法。

  梯度最小最大:使用最小最大誤差函數的梯度搜索方法。

  擬牛頓:使用最小平方誤差函數的擬牛頓搜索方法。

  最小 Pth:使用最小 Pth 誤差函數的擬牛頓搜索方法。

  最小最大:使用最小最大誤差函數的雙段高斯-牛頓/擬牛頓方法。

  混合(隨機/擬牛頓):隨機和擬牛頓搜索方法的組合。

  遺傳:使用演進參數組的直接搜索方法。

更新日志

  Keysight IC-CAP 2020.2更新日志

  1、B1500 / B1505數據輸出格式的新默認值從4位更改為8位。

  2、修復了DC_OP類型Mode'O ' 的Python get_child_objects輸出。

  3、修復了get_val()的tablevar Python API函數。

  4、修復了帶有溫度的LINUX上S參數LSYNC仿真崩潰的問題。

  5、解決了使用插槽1單元作為非主設備進行B1500 SYNC測量的問題。

  6、修復了IF帶寬問題,以將1 MHz至15 MHz作為PNA儀器的可能值。

  7、固定的負電容會在Spectre 2端口仿真中使用特定的電容網絡。

  8、修復了反斜杠無法在ADS-HBT工具包和Angelov-GaN工具包中指定校準集文件的路徑的問題。

  9、修復了在將非常長的方程式讀取到IC-CAP MODEL和/或DUT電路頁面中的電路文件時崩潰的問題。

  10、修復了通過PEL編程修改IC-CAP變量表中的變量值字段可能發生的內存泄漏。

  11、修復了在HB 2音模擬中并非所有數據點都完全讀入Output的問題。

  12、修復了4155/4156上的采樣測量不適用于VSU和HPSMU的問題。

  13、修復了無法從PEL設置為String-type的輸入值的問題。

  14、修復了將自定義GUI滑塊小部件的當前調諧器值設置在最大或最小調整范圍之外時崩潰的問題。

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